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  • ALD 原子层沉积

    ALD 原子层沉积原理通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制。区别于普通CVD或PECVD原理,ALD可沉积超薄的、无针孔和颗粒的膜层,例如在3D结构上沉积几个纳米厚的薄膜,同时具有出色的均匀性和优秀的保形比。

    更新日期:2024-03-18
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