Product Center

产品中心

当前位置:首页  >  产品中心  >  原子层沉积  >  

相关文章

  • ALD 原子层沉积

    ALD 原子层沉积原理通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制。区别于普通CVD或PECVD原理,ALD可沉积超薄的、无针孔和颗粒的膜层,例如在3D结构上沉积几个纳米厚的薄膜,同时具有出色的均匀性和优秀的保形比。

    更新日期:2024-03-18
    型号:
    点击量:1534
    厂商性质:经销商
共 1 条记录,当前 1 / 1 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 
010-82900840
欢迎您的咨询
我们将竭尽全力为您用心服务
关注微信
版权所有 © 2024 北京瑞科中仪科技有限公司  备案号:京ICP备11027741号-3