ALD 原子层沉积

ALD 原子层沉积原理通过在工艺循环周期内分步向真空腔内添加前驱体、实现对膜层厚度的精确控制。区别于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉积超薄的、无针孔和颗粒的膜层，例如在3D结构上沉积几个纳米厚的薄膜，同时具有出色的均匀性和优秀的保形比。

■ 转接腔预留两个端口，可升级增加ICP刻蚀反应腔模块与ICPECVD沉积反应腔模块，原控制软件无需升级即可控制ICP、ICPECVD模块

■ 热原子层沉积T-ALD模块：配制臭氧管路：配置独立的臭氧管路，包括臭氧发生器、质量流量控制器

MFC、压力传感器等。臭氧发生量：≥ 6 g/h

■ 等离子增强原子层沉积PEALD模块：配制臭氧管路：配置独立的臭氧管路，包括臭氧发生器、质量流量控制器MFC、压力传感器、气体探测器、阀门、控制机箱等。臭氧发生量：≥ 6 g/h

SENTECH ALD系统特别适用于纳米科技、微系统应用、无机和有机半导体工程、以及器件钝化。

ALD 原子层沉积 工艺：

使用三甲基铝 TMA和水沉积氧化铝

TMA 化学吸附

吹扫循环

水化学吸附

吹扫循环

应用

n 电子器件的钝化层

n 有机材料的扩散阻挡层

n 晶体硅电池的钝化

n 黏附层

n 3D结构的高保形比镀膜

n 高k材料

n 光学镀膜

n 扩散层

n 防腐蚀层

n 纳米科技的功能层

n 生物医学应用

SENTECH的原子层沉积腔室系统具有灵活的系统结构、适用于多种沉积模式和不同工艺。系统可升级更多的前驱体源和气路、高真空泵、原位监测和其他选项。可在最大直径200 mm的样片上沉积氧化物（例如Al2O3，SiO2，HfO2, ZnO，ZrO2）、氮化物（例如AlN，Si3N4)、金属等材料。除了标准热ALD工艺，系统可扩展等离子体 源、实现低温工艺。等离子增强原子层沉积系统（PEALD）在沉积工艺中使用气体氧代替水作为氧化剂。一个电容耦合等离子体CCP源作为真正的远程源、附在反应腔上部法兰，没有光线直接照射在样片上。

PEALD沉积Al2O3膜：使用三甲基铝TMA和等 离子生成氧原子（O），衬底温度200°C，4 吋晶圆

厚度均匀性：33.3 nm ± 0.25 nm

折射率差异（632.8 nm）：1.627 ± 0.0025

SENTECH等离子工艺操作软件

反应腔带下电极（红）、前驱体柜（黄）、 气路（绿）、真空泵系统（青）、单片预真空室（蓝）和CCP等离子体源（紫）